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離子鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空蒸發(fā)鍍膜機、真空多弧離子鍍膜機、真空中頻磁控濺射鍍膜機、多功能中頻磁控濺射多弧復合離子鍍膜機、真空光學（電子束蒸發(fā)）鍍膜機等系列真空鍍膜設備，主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

離子鍍膜設備起源于20世紀60年代D.M.Mattox提出的理論，且在當時開始有了對應的實驗；直到1971年，Chamber等發(fā)表電子束離子鍍膜技術；而反應蒸鍍（ARE）技術則是在1972年的Bunshah報告所指出，此時產生了TiC及TiN等超硬質的薄膜類型；同樣是在1972年，Smith和Moley在鍍膜工藝中采用了空心陰極技術。到了20世紀80年代，我國離子鍍終于達到工業(yè)應用的水準，相繼出現了真空多弧離子鍍及電弧放電型離子鍍等鍍膜工藝。

真空離子鍍的整個工作過程是：首先先將真空室抽真空，待至真空環(huán)境壓力抽至4X10?3Pa之上，需要把高壓電源接通，在基材與蒸發(fā)器間構建一個低壓放電氣體的等離子低溫區(qū)域。用5000V直流負高壓連接基材電極，從而形成陰極的輝光放電。惰性氣體離子是在負輝光區(qū)附近產生的，其進入陰極暗區(qū)被電場加速并對基材表面進行轟擊，這是一個清洗過程，之后就進入鍍膜過程，通過轟擊加熱的作用，氣化一些鍍料，等離子區(qū)內進入原子，與電子及惰性氣體離子產生碰撞，也有少部分發(fā)生離化，對于這些離化后的離子擁有高能量會對薄膜表面進行轟擊，一定程度上會改善膜層質量。

真空離子鍍的原理是：在真空室中，利用氣體的放電現象或蒸發(fā)物質的離化部分，在蒸發(fā)物質離子或氣體離子的轟擊作用下，同時沉積這些蒸發(fā)物或其反應物在基材上得到薄膜。