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鍍膜設備，主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

磁控濺射系統(tǒng)在陰極靶材的背后放置100～1000Gauss強力磁鐵,真空室充入011～10Pa壓力的惰性氣體(Ar),作為氣體放電的載體。在高壓作用下Ar原子電離成為Ar+離子和電子,電子在加速飛向基片的過程中,受到垂直于電場的磁場影響,使電子產(chǎn)生偏轉(zhuǎn),被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),電子以擺線的方式沿著靶表面前進,在運動過程中不斷與Ar原子發(fā)生碰撞,電離出大量的Ar+離子。

鍍膜設備

經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,最終落在基片、真空室內(nèi)壁及靶源陽極上。而Ar+離子在高壓電場加速作用下,與靶材的撞擊并釋放出能量,導致靶材表面的原子吸收Ar+離子的動能而脫離原晶格束縛,呈中性的靶原子逸出靶材的表面飛向基片,并在基片上沉積形成薄膜。