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第三代半導(dǎo)體

2024-08-12 23:20:27

微信截圖_20240812231945.png第三代半導(dǎo)是一種新型的半導(dǎo)體材料,?它包括碳化硅(SiC)、?氮化(GaN)、?氧化(ZnO)、?金石等,?些材料具有(Eg>2.3eV)的特性,?因此也被稱(chēng)為寬導(dǎo)體材料。?與傳統(tǒng)的*代和第二代半導(dǎo)體材料相比,?第三代半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度,?使得它在更高的溫度、?更強(qiáng)電壓與更快的開(kāi)關(guān)率下運(yùn)行。?此外,?第三代半導(dǎo)體材料具有更高的導(dǎo)熱率、?更高的抗射能力、?更大的和漂移速率等特性,?些特性使得它非常適合用于制作高溫、?高、?大功率和抗子器件。?

第三代半導(dǎo)體的應(yīng)領(lǐng)域非常廣泛,?包括但不限于半導(dǎo)體照明、?5G通信、?衛(wèi)星通信、?光通信、?子、?航空航天等。?特是在5G基站、?新能源汽車(chē)和快充等領(lǐng)域,?第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用尤突出,?被認(rèn)為是當(dāng)今產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力。?盡管第三代半導(dǎo)體材料在性能上有優(yōu)勢(shì)?但它傳統(tǒng)導(dǎo)體材料并不是迭代關(guān)系,?而是各有擅長(zhǎng)應(yīng)領(lǐng)域。?例如,?硅這類(lèi)*代半導(dǎo)體在領(lǐng)域仍有廣泛應(yīng)用,?而氮化鎵這類(lèi)第三代半導(dǎo)在高、?大功率子器件等領(lǐng)域展現(xiàn)優(yōu)勢(shì)。

在第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用中,?隨著新材料、?新工、?新制程的引入,?半導(dǎo)體器件朝著更復(fù)、?更高深比,?甚至是3D異形結(jié)構(gòu)的方向發(fā)展。?

我公司的高質(zhì)成熟的PVD薄膜沉術(shù)夠滿應(yīng)對(duì)高性能、?高精度的要求,?推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用。?

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