1. 功能、特點(diǎn)
高溫磁控濺射+小顆粒多弧源復(fù)合工藝
射頻等離子清洗
離子源輔助沉積（可選）
在線膜厚監(jiān)測（可選）
工藝室*溫度500℃
公自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)架
智能操控界面及工藝流程
可自動保存工藝數(shù)據(jù)
2. 膜層材料
Cu、Ni、Cr、Ti、Al、Ag、Au、Nb、ITO、AZO等；
3. 典型應(yīng)用
DPC陶瓷基板、基座及陶瓷結(jié)構(gòu)件、封裝部件金屬化鍍膜；
陶瓷濾波器等電器件金屬涂層鍍膜；
半導(dǎo)體制冷片陶瓷表面鍍膜；
ITO、AZO等透明電極涂層；
氫燃料電池雙極板鍍膜
電解水制氫電極板鍍膜
4. 適用行業(yè)
電子、半導(dǎo)體封裝、5G通訊、激光及射頻微波器件，新能源、醫(yī)療器械、航空航天；
5. 規(guī)格概要
ZPAS0910V | ZPAS1213V | ZPAS1618V | ZPAS2118V | |
真空室尺寸 | ?900×1000 | ?1250×1300 | ?1650×1800 | ?2100×1800 |
轉(zhuǎn)架規(guī)格 | ?700×850 | ?10500×1150 | ?1450×16500 | ?1900×1650 |
膜層不均勻性 | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% | ≤±5% |
抽真空時間 | 15min | 15min | 15min | 15min |
真空室溫度 | ≤500℃ | ≤500℃ | ≤500℃ | ≤500℃ |
6. 外觀效果圖
